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碳化硅的物理性能:色泽和导电性能

浏览次数: 发布时间:2013/12/30

除在我们以前的文章中已经论述的硬度、密度、堆积密度、粒度组成、韧性、磁性物含量、亲水性、pH值、热膨胀系数、导热系数等物理性能外,色泽和导电性能也是碳化硅重要的物理性能。

1、碳化硅的色泽

纯碳化硅是无色透明的晶体,碳化硅呈色的原因是杂质掺入。如碳化硼会使晶体呈黑色,含氮时晶体呈绿色。碳化硅磨料把无色至绿色的归为绿碳化硅,深蓝至黑色的为黑碳化硅。

除晶体本身的色泽外,碳化硅晶体表面薄膜对自然光还有干涉作用。当碳化硅晶体表面的氧化硅薄膜厚度不同或对光线的反射角度不同时,反射光是两相干光。因此,碳化硅在自然光下表面具有斑驳陆离、绚丽多彩的色泽。

2、碳化硅是一种半导体,电阻率在10-2~1012Ω·m之间,随晶体中杂质的种类和数量而变化。影响最大的杂质是铝、氮和硼。含铝较多时,碳化硅导电性显著增大。碳化硅的导电性随电场强度的增大而迅速提高,具有非线性变化的特点如图1-30所示,可用V=C·Iα表示。其中V为电压,C为材料常数,α为非线性指数。避雷器阀片就是利用碳化硅的这种半导体特性制作的。

SiC阀片的福安特性曲线

碳化硅的电阻率随温度而变化,温度升高电阻率变小,与金属的温度特性相反,如图1-31所示。

高纯SiC电阻与温度的关系


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